Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor bipolar (BJT) NPN de potencia 275V 3A 100W 2N5839 con encapsulado TO-3 para montaje en circuito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo: Transistor bipolar (BJT) NPN de potencia
Polaridad: NPN
Tensión colector-emisor VCEO: 275 V
Tensión colector-base VCBO: 300 V
Tensión emisor-base VEBO: 6 V
Corriente máxima de colector (IC): 3 A
Corriente máxima de colector (pico): 5 A
Potencia máxima de disipación (PC): 100 W
Ganancia de corriente (hFE): 10 a 50 (según condiciones de prueba)
Frecuencia de transición (fT): 5 MHz
Temperatura de unión máxima: 200 °C
Encapsulado: TO-3 (metálico)
Tipo de montaje: Orificio pasante (Through-Hole, THT)
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
