Descripción
Transistor bipolar de potencia NPN de silicio 1000V 10A BUX81 con encapsulado TO-3
Características
Con encapsulado TO-3
Alto voltaje; velocidad de conmutación rápida
Voltaje de baja saturación
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de modo de conmutación, escaneo CRT, inversores y otras aplicaciones industriales
Especificaciones
Referencia: BUX81
Tipo: Transistor bipolar
Polaridad: NPN
Encapsulado: TO-3
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
