Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET de potencia Canal-N 800V 9A 40W, STP10NK80ZFP, con encapsulado TO-220FP para montaje en cirduito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: SuperMesh™
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 9A
Poder disipado: 40W
Carcasa: TO220-F
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de transferencia: 0,9Ω
Montaje: THT
Clase de canal: enriquecido
Versión: ESD
Peso bruto: 1.988 g
Certificados: RoHS
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