Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Diodo LED Emisor de Infrarrojos (IR) Ø5mm, 1.2V…1.6V DC, 875 nm, 35 mW, 48º, transparente, entrada de terminales radial de 2 pines.
LED AlGaAs de alta eficiencia fabricado mediante tecnología de epitaxia en fase líquida;
• Encapsulado: T-1¾ (Ø5 mm);
• Alta fiabilidad;
• Alta potencia radiante;
• Adecuado para funcionar con altas corrientes de pulso;
• Buena coincidencia espectral con fotodetectores de silicio;
• Componente libre de plomo, de acuerdo con las directivas RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC.
Áreas de aplicación:
• Sistemas de transmisión de datos ópticos en espacio libre;
• Esta serie de LED IR está diseñada para sistemas de transmisión de datos con paneles de vidrio en el espacio entre el emisor y el detector, debido a la baja absorción de la radiación de 875 nm en el vidrio.
ESPECIFICACIONES:
Tipo de diodo: Emisor IR
Diámetro del diodo LED: 5mm
Longitud de onda λd: 875nm
Lente de diodo: transparente
Potencia de radiación: 35mW
Ángulo de vis.: 40°
Tensión de trabajo: 1,2…1,6V DC
Montaje: THT
Corriente de diodos LED: 100mA
Encapsulado: T-1¾ (Ø5 mm)
Peso bruto: 0.990 g
Certificación: RoHS
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
