Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Memoria EEPROM 64kb 8kx8bit 28C64 4.5/5.5V 150ns con encapsulado DIP-28 para montaje en circuito impreso (PCB)
ESPECIFICACIONES:
Tipo: Memoria EEPROM.
Tecnología: CMOS.
Capacidad: 64 Kbit (8 KB).
Organización: 8K × 8 bits.
Encapsulado habitual: DIP-28.
Borrado: Eléctrico, sin necesidad de luz ultravioleta.
Tensión de alimentación: 5 V
Rango de alimentación: 4,5–5,5 V en versiones de 5 V
Capacidad: 8.192 bytes
Tiempo de acceso: 150–200 ns, según versión
Corriente activa: 30–60 mA, según fabricante
Corriente en espera: 100–200 µA, según versión
Programación: Por bytes o páginas
Tamaño de página: Hasta 64 bytes
Resistencia de escritura: 10.000–100.000 ciclos o más, según versión
Retención de datos: 10 años o más, según versión
Número de pines: 28
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