Descripción
Transistor bipolar BJT de potencia PNP 100V 1A 30W TIP29C encapsulado TO-220
Caracteristicas
Transistor de potencia complementario NPN-PNP fabricado con tecnología planar de base epitaxial. Es apto para aplicaciones de audio, conmutación y lineales de potencia.
Baja tensión de saturación colector-emisor
Especificaciones
Serie: TIP29C
Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors
Configuración: Single
Polaridad de transistor: NPN
Corriente del colector DC máxima: 1 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 100 V
Voltaje colector-base VCBO: 100 V
Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 700 mV
Pd (disipación de potencia): 30 W
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Corriente continua del colector: 1 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:: 15
Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 75
Estilo de montaje: Agujero pasante
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Conteo de Pines: 3
Altura: 9.15 mm
Longitud: 10.4 mm
RoHS: Si
