Descripción
Transistor bipolar BJT de potencia PNP 60V 15A 90W TIP2955 encapsulado TO-247
Caracteristicas
Transistor de potencia complementario NPN-PNP fabricado con tecnología planar de base epitaxial. Es apto para aplicaciones de audio, conmutación y lineales de potencia.
Baja tensión de saturación colector-emisor
Especificaciones
Serie: TIP2955
Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors
Configuración: Single
Polaridad de transistor: PNP
Corriente del colector DC máxima: 15 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V
Voltaje colector-base VCBO: 100 V
Voltaje emisor-base VEBO: 7 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V
Pd (disipación de potencia): 90 W
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Corriente continua del colector: 15 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:: 20
Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 70
Estilo de montaje: Agujero pasante
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Conteo de Pines: 3
Altura: 20.15 mm
Longitud: 15.75 mm
RoHS: Si