Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor bipolar (BJT) de silicio PNP para radiofrecuencia (RF) 40V 0.4A 5W 2N5160 con encapsulado TO-39 para montaje en circuito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo: Transistor bipolar (BJT)
Polaridad: PNP
Material: Silicio
Aplicación: RF (VHF/UHF)
Tensión colector-emisor (VCEO): 40 V
Tensión colector-base (VCBO): 60 V
Tensión emisor-base (VEBO): 4 V
Corriente máxima de colector (IC): 400 mA
Potencia máxima de disipación (PD): 5 W (Tc = 25 °C)
Ganancia de corriente (hFE): 10 (mín.)
Frecuencia de transición (fT): 500 MHz (típica hasta 900 MHz)
Capacitancia colector-base (Ccb): 4 pF (máx.)
Temperatura de unión: −65 °C a +200 °C
Encapsulado: TO-39 (metálico)
Tipo de montaje: Orificio pasante (Through-Hole, THT)
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
