Descripción
Transistor IGBT 52A/1200V 300W TO218
Especificaciones
Tipo IGBT
Polaridad PNP
Encapsulado: TO218
Energía: 300W
Colector-Base Voltaje VCBO: 1200 V
Tensión colector-emisor VCEO: 1200 V
Tipo de montaje: através del orificio
MHz de ancho de banda: – MHz
Ganancia base/colector de CC hFE mín. –
Máximo actual 1 52A
Tensión máxima IGBT VRSM -V
*Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.