Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N 100V 28A 125W IRF540 encapsulado TO-220AB para montaje en circuito impreso (PCB)
ESPECIFICACIONES:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Tensión drenaje-fuente: 100V
Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
Corriente del drenaje: 28A
Poder disipado: 125W
Carcasa: TO220AB
Montaje: THT
Temperatura máxima de unión: 150 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Carga de la puerta: 59 max nC
Tiempo de subida: 60 max nS
Capacitancia de salida: 800 max pF
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
