Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N unipolar IRFZ24 55V 17A 45W encapsulado TO-220AB para montaje en circuito impreso
ESPECIFICACIONES:
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: Unipolar
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 17A
Poder disipado: 45W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ
Montaje: THT
Carga de puerta: 13,3nC
Clase de empaquetado: tubo
Clase de canal: enriquecido
* Las fotos no son contractuales y estan sujetas a cambios sim previo aviso.
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