Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N 55V 17A 45W IRLZ24N con encapsulado TO-220AB para montaje en cirduito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 17A
Poder disipado: 45W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Montaje: THT
Temperatura máxima de unión: 175 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Carga de la puerta: 15 max nC
Tiempo de subida: 74 nS
Capacitancia de salida: 130 pF
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
