Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N unipolar IRFZ44 55V 41A 83W con encapsulado TO-220AB para montaje en circuito impreso
ESPECIFICACIONES:
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 49A
Poder disipado: 83W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 17.5mΩ
Montaje: THT
Carga de puerta: 42nC
Clase de canal: enriquecido
* Las fotos del producto no son contractuales y estan sujetas a cambios sim previo aviso.
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