Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N 700V 11A 50W AOTF11N70 con encapsulado TO-220F para montaje en cirduito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo de transistor: N-MOSFET
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 150 °C
|VGSth|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 37.5 nC
trⓘ – Tiempo de subida: 74 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 146 pF
RDSonⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.87 Ohm
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