Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET de potencia de Canal-N 700V 11A 50W AOTF11N70 con encapsulado TO-220FP para montaje en cirduito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo de transistor: N-MOSFET
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 700V
Corriente del drenaje: 11A
Potencia de disipación: 50 W
Carcasa: TO220FP
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de transferencia: 0,87Ω
Montaje: THT
Carga de puerta: 37,5nC
Clase de canal: enriquecido
Peso bruto: 1.772 g
Certificados: RoHS
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