Descripción
Transistor bipolar de potencia NPN de silicio 275V 3A 2N5839 con encapsulado TO-3
Características
Con paquete TO-3
Bajo voltaje de saturación del colector
Alto voltaje de ruptura
Aplicaciones
Para uso en fuentes de alimentación conmutadas y otros circuitos de conmutación inductivos.
Especificaciones
Referencia: 2N5839
Tipo: Transistor bipolar
Polaridad: NPN
Encapsulado: TO-3
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 275 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
