Descripción
Transistor bipolar de potencia NPN de silicio 500V 50A MJ10016 con encapsulado TO-3
Especificaciones
Referencia: MJ10016
Tipo: Transistor bipolar
Polaridad: NPN
Encapsulado: TO-3
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
Capacitancia de salida (Cc): 750 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
