Descripción
Transistor IGBT Canal-N G4PC50U 55A 600V 200W con encapsulado TO-247
Especificaciones
Referencia: G4PC50U
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-CHANEL
Máxima potencia disipada: 200 W
Tensión máxima colector-emisor: 600 V
Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Tiempo de subida, typ: 25 nS
Capacitancia de salida, typ: 250 pF
Carga total de la puerta, typ: 190 nC
Encapsulado: TO247
