Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor JFET NPN 25V 4mA 625mW 2N5459 con encapsulado TO-92 para montaje en circuito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo: JFET de canal N
Tensión drenador-fuente (VDS máx.): 25 V
Corriente de drenador (IDSS): 4 mA (típica, VDS = 15 V, VGS = 0 V)
Tensión de corte VGS(off): ≈ -2 V (valor típico)
Potencia máxima: 625 mW
Capacitancia de entrada (Ciss): 7 pF (máx.)
Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C
Encapsulado: TO-92-3
Montaje: Orificio pasante (Through-Hole, THT)
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
