Descripción
Transistor IGBT Canal-N BUP314 52A 1200V 300W con encapsulado TO-218
Especificaciones
Referencia: BUP314
Tipo: IGBT
Polaridad: N-Chanel
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Estilo de montaje: Agujero pasante
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.2 V
Voltaje puerta-emisor máximo: – 20 V, + 20 V
Corriente continua del colector a 25 C: 50 A
Pd (disipación de potencia): 190 W
Temperatura operativa mínima: – 40 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Corriente continua del colector: 50 A
Corriente continua del colector Ic Máx.: 52 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 600 nA
Altura:: 21.1 mm
Longitud: 16.03 mm
RoHS: Si
