Descripción
Transistor IGBT Canal-N SG04N60 9.4A 600V 50W con encapsulado TO-220
Especificaciones
Referencia: SGP04N60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-CHANEL
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Estilo de montaje: Agujero pasante
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600 V
Poder de disipación: 50W
Voltaje puerta-emisor máximo: – 20 V, + 20 V
Temperatura operativa mínima: – 55 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Corriente continua del colector Ic Máx.: 9.4 A
Altura: 9.25 mm
Longitud: 10 mm
