Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N 60V 17A 60W IRFZ24 encapsulado TO-220AB para montaje en circuito impreso (PCB).
ESPECIFICACIONES:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 17A
Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
Poder disipado: 60W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Montaje: THT
Temperatura máxima de unión: 175 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Carga de la puerta: 25 max nC
Tiempo de subida: 58 nS
Capacitancia de salida: 360 pF
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
