Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Transistor MOSFET Canal-N 600V 9A 50W 2SK2645 con encapsulado TO-220-ISO para montaje en cirduito impreso (PCB)
ESPECIFICACIONES:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Tensión drenaje-fuente: 600V
Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
Corriente del drenaje: 9A
Potencia: 50W
Carcasa: TO-220-ISO
Montaje: THT
Temperatura máxima de unión: 150 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
Tiempo de subida: 70 nS
Capacitancia de salida: 150 pF
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
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