Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Circuito integrado transistor bipolar de potencia NPN de silicio 200V 5A 100W 2N5839 con encapsulado TO-3 para montaje en cirucito impreso.
Transistores de silicio NPN de alto voltaje
Aplicaciones
Diseñado para inversores, convertidores, reguladores y circuitos de conmutación de media a alta tensión.
ESPECIFICACIONES:
Referencia: MJ410
Tipo: Transistor bipolar
Polaridad: NPN
Encapsulado: TO-3
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
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