Descripción
CARACTERÍSTICAS:
Circuito integrado transistor bipolar BJT de potencia NPN 115V 10A 80W con encapsulado TO-218 para montaje en circuito impreso.
ESPECIFICACIONES:
Referencia: BD245C
Tipo de producto:: BJTs – Bipolar Transistors
Estilo de montaje: THT
Empaquetado / Estuche: TO-218
Polaridad de transistor: NPN
Voltaje colector-base VCBO máx.: 115 V
Corriente del colector DC máxima: 10 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 100 V
Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
Pd (disipación de potencia):80 W
Temperatura operativa mínima: – 65 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Colector CC/Ganancia base hfe Min: 40
* Las fotos del producto no son contractuales y están sujetas a cambios sin previo aviso.
