Descripción
Transistor bipolar de potencia NPN de silicio 400V 50A MJ10015 con encapsulado TO-3
Especificaciones
Referencia: MJ10015
Tipo: Transistor bipolar
Polaridad: NPN
Encapsulado: TO-3
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
Capacitancia de salida (Cc): 750 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
