Descripción
Transistor bipolar de potencia PNP 80V 10A 2N3790 con encapsulado TO-3
Especificaciones
Referencia: 2N3790
Tipo: Transistor bipolar
Polaridad: PNP
Encapsulado: TO-3
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50